产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 580 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 2400 W
封装 / 箱体: 62 mm
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
高度: 30.5 mm
长度: 106.4 mm
栅极/发射极最大电压: 20 V
安装风格: Chassis Mount
产品类型: IGBT Modules
系列: Trenchstop IGBT4 - T4
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
技术: Si
商标名: TRENCHSTOP
宽度: 61.4 mm
零件号别名: SP000370613 FF450R12KT4HOSA1
单位重量: 340 g
