制造商 Infineon Technologies

驱动配置 半桥

通道类型 独立式

驱动器数 2

栅极类型 IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电压 - 供电 13V ~ 20V

逻辑电压?- VIL，VIH 1.5V，3.5V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） 2.4A，2.4A

输入类型 反相，非反相

高压侧电压 - 最大值（自举） 1200 V

上升/下降时间（典型值） 30ns，50ns

工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 36-BSSOP（0.295"，7.50mm 宽），32 引线

器件封装 PG-DSO-36-58