参数名称

参数值

Source Content uid BSS123LT1G

Brand_Name ON Semiconductor

是否无铅 不含铅 不含铅

生命周期 Active

Objectid 2014175875

零件包装代码 SOT-23

包装说明 ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN

针数 3

制造商包装代码 318-08

Reach Compliance Code compliant

ECCN代码 EAR99

HTS代码 8541.29.00.95

Factory Lead Time 53 weeks

风险等级 0.57

Samacsys Description MOSFET N-Channel 100V 0.17A SOT23 ON Semiconductor BSS123LT1G N-channel MOSFET Transistor, 0.17 A, 100 V, 3-Pin SOT-23

Samacsys Manufacturer onsemi

配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

最小漏源击穿电压 100 V

最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.17 A

最大漏极电流 (ID) 0.17 A

最大漏源导通电阻 6 Ω

FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JEDEC-95代码 TO-236

JESD-30 代码 R-PDSO-G3

JESD-609代码 e3

湿度敏感等级 1

元件数量 1

端子数量 3

工作模式 ENHANCEMENT MODE

最高工作温度 150 °C

最低工作温度 -55 °C

封装主体材料 PLASTIC/EPOXY

封装形状 RECTANGULAR

封装形式 SMALL OUTLINE

峰值回流温度（摄氏度） 260

极性/信道类型 N-CHANNEL

最大功率耗散 (Abs) 0.225 W

认证状态 Not Qualified

子类别 FET General Purpose Power

表面贴装 YES

端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed

端子形式 GULL WING

端子位置 DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间 40

晶体管应用 SWITCHING

晶体管元件材料 SILICON