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STD3NK100Z

2025-8-21 14:02:00
  • 全新原装现货 支持第三方机构验证

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 1 kV

Id-连续漏极电流: 2.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 6 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 18 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 90 W

通道模式: Enhancement

商标名: SuperMESH

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: STMicroelectronics

配置: Single

下降时间: 32 ns

正向跨导 - 最小值: 2.4 S

高度: 2.4 mm

长度: 6.6 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 7.5 ns

系列: STD3NK100Z

2500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET

典型关闭延迟时间: 39 ns

典型接通延迟时间: 15 ns

宽度: 6.2 mm

单位重量: 330 mg