参数名称 属性值
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
Objectid 1413330718
零件包装代码 DIP
包装说明 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-20
针数 20
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 3A001.A.2.C
最长访问时间 40 ns
I/O 类型 SEPARATE
JESD-30 代码 R-CDIP-T20
JESD-609代码 e0
长度 25.4 mm
内存密度 16384 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM
内存宽度 1
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 20
字数 16384 words
字数代码 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -55 °C
组织 16KX1
输出特性 3-STATE
可输出 NO
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP
封装等效代码 DIP20,.3
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
并行/串行 PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED
电源 5 V
认证状态 Not Qualified
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度 3.124 mm
最大压摆率 0.12 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 NO
技术 NMOS
温度等级 MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm
