TAJE337M016RNJ_TAJE337M016RNJ导读

。Q3和Q4用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降，这个压降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。

TAJE337M016RNJ_TAJE337M016RNJ

TAJD226K025RNJ

057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5%_。

SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。

TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。

060310R5%_060312K5%_060315K1%_060315K5%_0603180K5%_。

TAJE337M016RNJ_TAJE337M016RNJ

TAJB336M010RNJ

因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。。这种晶体管称为金属氧化物半导体 (MOS) 晶体管，或金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET) 。

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。

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NCE8205B NCE8205 NCE8205i NCE8205E NCE9926 。

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