在全球频频传出芯片供给过剩的情况下，媒体报道指中国存储芯片双雄长江存储和合肥长鑫进一步加速扩张，复制三星的逆周期扩张模式，力求追赶全球存储芯片企业，缩短差距。

长江存储生产的是NAND flash存储芯片，2021年已取得大约4％的市场份额，业界预期它今年可望将份额提升至7％，超过Intel成为全球前六大NAND flash存储芯片企业。

数年时间就从零起步到跻身全球前六，长江存储的发展速度已相当凶猛，不过长江存储并未就此止步，据此前的消息指出长江存储早在2020年中就已筹建存储基地项目二期，目前正在加速推进，预计未来两年就能投产，其二期项目的月产能为20万片，一期项目为10万片，如此两年多之后NAND flash芯片产能将增加两倍。

与长江存储的扩张步伐类似，生产DRAM存储芯片的合肥长鑫也已在去年就已筹建二期项目，并且它的扩张脚步比长江存储更快，业内人士指合肥长鑫预计二期项目最快在明年就将投产，如此它的DRAM存储芯片产能将从当前的月产4万片猛增至12．5万片。

早前知名苹果分析师郭明錤和市调机构Gartner等都已指出全球芯片行业已出现供给过剩迹象，郭明錤表示当下的手机芯片已存在较多库存，手机企业砍单两成；分析机构则认为最快到明年就会出现芯片供给过剩，预计明年最严重的情况可能出现芯片需求下滑超过两成的状况，如此情况下中国的存储双雄可谓逆周期扩张。

逆周期扩张理念是首先由三星提出并推行的，当年三星和日本存储芯片企业进行竞争的时候，三星往往选择在存储芯片价格下行周期大举扩张，采购设备，而日本存储芯片企业则担忧亏损问题而选择收缩。

三星认为在存储芯片价格下行周期扩张的好处在于无需与他人争抢芯片制造设备，此时的芯片制造设备价格又低，只要熬过去，那么就能成为赢家，结果三星用10多年时间成为全球最大的存储芯片企业，而日本的存储芯片企业日渐萎缩，其中日本的尔必达等存储芯片企业最终倒闭，成就了三星。

中国存储双雄的扩张模式似乎吸取了三星的经验，它们也在当下存储芯片即将进入下行周期加速扩张，毕竟中国芯片行业购买光刻机等芯片制造设备不容易，而下行周期导致全球芯片产能扩张竞赛中止，那么中国存储双雄就更容易买到光刻机，可以确保产能扩张计划的顺利推行。

相比起三星等韩国存储芯片企业，中国芯片双雄的成本更低，而且中国也是全球最大的芯片市场，这都有助于中国芯片双雄逆周期扩张。此前中国的面板领导者京东方就依靠成本优势，最终在液晶面板市场熬赢了三星和LGD，三星最终退出液晶面板市场，LGD缩减了液晶面板产能，证明了中国在成本方面确实有足够大的优势。

随着物联网、人工智能、自动驾驶等新兴科技的兴起，近十年来全球出现了数据喷发的势头，对存储芯片的需求激增，三星更依靠存储芯片的优势超越Intel成为全球最大的半导体企业，不过随着中国存储双雄的崛起，三星的好日子或许因此结束。

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