NSS40302PDR2G
类别
分立半导体产品
晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
零件状态
在售
晶体管类型
NPN，PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
3A
电压 - 集射极击穿（最大值）
40V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
115mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
180 @ 1A，2V
功率 - 最大值
653mW
频率 - 跃迁
100MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
NSS40302
