NVGS5120PT1G 贴片SOT23-6 P沟道场效应管芯片 表面贴装型 P 通道 60 V 1.8A(Ta) 600mW

2022-3-25 9:10:00
  • NVGS5120PT1G

NVGS5120PT1G  贴片SOT23-6 P沟道场效应管芯片 表面贴装型 P 通道 60 V 1.8A(Ta) 600mW

深圳市宗天技术开发有限公司 公司经销Infineon,IR,FAIRCHILD,ST,FUJI,TOSHIBA,SANYO等国际**品牌,

专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列,

主要应用于锂电池保护板/**无刷电调、电脑主板显卡/无刷电机、太阳能/LED照明电源、

UPS电源/电动车控制器、HID灯/逆变器、电源适配器/开关电源、镇流器、汽车电子等。

类别

分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

制造商

onsemi

系列

Automotive, AEC-Q101

包装

卷带(TR)

剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

1.8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)

111 毫欧 @ 2.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

18.1 nC @ 10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

942 pF @ 30 V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

600mW(Ta)

工作温度

-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

6-TSOP

封装/外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

基本产品编号

NVGS5120