TAJB107M006RNJ_TAJB107M006RNJ导读
上面就是功率mos管NCE80H12的规格书，我们电动车控制器上用的功率mos管NCE80H12其实和平常cmos集成电路中的小功率mos结构是不一样的。
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TAJB107M010RNJ
06031.8M5%_0603100K5%_0603100R5%_060310K1%_060310K5%_。
TAJA225M010RNJ TAJA225M016RNJ TAJA225M020RNJ TAJA225M025RNJ TAJA225M035RNJ TAJA226K004RNJ TAJA226K006RNJ TAJA226K010RNJ TAJA226M004RNJ TAJA226M006RNJ 。
TAJA104K035RNJ TAJA104K050RNJ TAJA104M035RNJ TAJA104M050RNJ TAJA105K016RNJ TAJA105K020RNJ TAJA105K025RNJ TAJA105K035RNJ TAJA105K050RNJ 。
BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。
TAJB107M006RNJ_TAJB107M006RNJ
TAJB156K010RNJ
040251K1%_040251R5%_040268K1%_04028.2K5%_0402E4872BITS 。
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
0402220K5%_040222R5%_040225.5K1%_0402270R5%_04022K5%_。
049N03MS 04N50C3 04N60C2 04N80C3 04-OC-TLAS03 。
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]区间,MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应，Cgd电容大大增加,栅极电流持续流过，由于C gd 电容急剧增大，抑制了栅极电压对Cgs 的充电,从而使得Vgs 近乎水平状态，Cgd 电容上电压增加,而DS电容上的电压继续减小。
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