020N03LS_020N03LS导读
所以管子的稳定性和制造工艺密不可分，差的工艺可能导致这些小管的参数不那么一致。它们的各种开关动作几乎是一致，当然烧坏时，肯定有先承受不了的小管先坏。
这要从MOS的工艺和结构说起，不管是MOS还是二极管，都是由半导体材料构成，我们都知道二极管是由一对PN结构成，见下图，P型区对应二极管的阳极，N型区对应二极管的负极。
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0402270R5%_06031.8M5%_0603100K5%_0603100R5%_060310K1%_060310K5%_。
057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5%_。
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
04023.3K1%_04023.6K5%_040233R5%_0402470K5%_040247K1%_。
020N03LS_020N03LS
1.5KA27AHE3/54
060322R5%_0603270K5%_0603270R5%_060327K5%_0603330R5%_。
0603180R5%_06031M5%_06032.2K5%_0603220R5%_060322K5%_。
BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。
051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。
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至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压,Millier效应影响变小，Cgd 电容变小并和Cgs 电容一起由外部驱动电压充电, Cgs 电容的电压上升,至t4时刻为止.此时C gs 电容电压已达稳态,DS间电压也达最小，MOSFET完全开启。
使晶体管只工作在1和3状态的电路称之为开关电路，一般以晶体管截止，集电极不吸收电流表示关；以晶体管饱和，发射极和集电极之间的电压差接近于0V时表示开。
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