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最小击穿电压200 V
配置SINGLE
最大二极管电容0.3 pF
二极管元件材料SILICON
最大二极管正向电阻1.5 Ω
二极管电阻测试电流1 mA
二极管电阻测试频率100 MHz
二极管类型PIN DIODE
频带HIGH FREQUENCY TO L BAND
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e3
少数载流子标称寿命0.7 μs
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
最大功率耗散0.25 W
处于峰值回流温度下的最长时间40
