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NCEP023N85T

2025-8-8 17:01:00
  • NCEP023N85T

NCE70H10F_NCEP023N85T导读

根据不通电情况下反型层是否存在,MOS管可分为增强型、耗尽型——。功率半导体的核心是PN结,从二极管、三极管到场效应管,都是根据PN结特性所做的各种应用。场效应管分为结型、绝缘栅型,其中绝缘栅型也称MOS管(Metal Oxide Semiconductor)。

MOS管是一种单极性载流子参与导电的半导体器件。根据导电沟道的载流子能够划分为N沟道和P沟道。假定导电沟道的载流子是电子,则称为N沟道;假定载流子是空穴,则称为P沟道。

NCE70H10F_NCEP023N85T

NCE3400

MOS管3306产品特征 1、RDS(on)=7mΩ@VGS=10V 2、无铅绿色设备 3、低电阻开关,减少导电损耗 4、高雪崩电流。

NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。

该三个电容参数具体到管子的本体中,分别代表什么?是如何形成的?。MOS管规格书中有三个寄生电容参数,分别是:输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Crss。

NCE2025I NCE2025S NCE2030K NCE2030U NCE2030 。

NCE70H10F_NCEP023N85T

NCEP080N10A

NCE6802 NCE30H29D NCEB301Q NCEB301Q NCEB301G 。

NCE3075Q NCE3015S NCE3400E NCE3065K NCE3095AK 。

NCE3020K NCE3025Q NCE3035K NCE3025G NCE3030K 。

NCE4612SP NCE30H32VD NCE3402 NCE3402A NCE30H21 。

NCE70H10F_NCEP023N85T

。MOS管NCE3401是一款-30V漏源电压,4.2A电流,SOT-23封装的P沟道MOS管。

NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。

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