高性能静态CMOS工艺

-150兆赫(6.67ns周期时间)

- Low-Power (1.8-V Core， 3.3-V /0) Design

-3.3-V闪存编程电压

高性能CPU(C28x)

-16 x 16和32 x 32 MAC行动

-16x16双MAC

-哈佛巴士架构

-原子行动

- Fast Interrupt Response and_Processing

-统一内存编程模型

-4M线性规划地址到达

-4G线性数据地址到达

-代码-高效(在C/C++和汇编中)

-TMS320F24x/LF240x处理器源

码兼容