DMG2305UX-7
晶体管
MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：
1. MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装
2. 取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。
3. 焊接用的电烙铁必须良好接地。
4. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。
5. MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。
6. 电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。
7. MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 5 A
Rds On-漏源导通电阻: 52 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V， + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 900 mV
Qg-栅极电荷: 10.2 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.4 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
系列: DMG2305
晶体管类型: 1 P-Channel
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 34.7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 13.7 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 79.3 ns
典型接通延迟时间: 10.8 ns
单位重量: 8 mg
