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FDS8880

2023-5-19 8:36:00
  • 热门搜索: TO-220-3 N-Channel 200 V MOSFET , P-Channel MOSFET , 650 V MOSFET , SOT-416-3 N-Channel MOSFET , 2 Channel P-Channel 30 V MOSFET , 1 Channel N-Channel 12 V MOSFET

产品属性 属性值 搜索类似

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 11.6 A

Rds On-漏源导通电阻: 10 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Qg-栅极电荷: 30 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.75 mm

长度: 4.9 mm

系列: FDS8880

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: MOSFET

宽度: 3.9 mm

商标: ON Semiconductor / Fairchild

下降时间: 15 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 27 ns

工厂包装数量: 2500

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 38 ns

典型接通延迟时间: 7 ns

零件号别名: FDS8880_NL

单位重量: 130 mg