型号：CSD16322Q5
制造商
Texas Instruments
制造商零件编号
CSD16322Q5
描述
MOSFET N-CH 25V 5X6 8SON
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 含铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
?湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）
详细描述 表面贴装型-N-通道-25V-21A（Ta）-97A（Tc）-3.1W（Ta）-8-VSON-CLIP（5x6）
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 NexFET?
其它名称 296-25112-2
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 21A（Ta），97A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 5 毫欧 @ 20A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 9.7nC @ 4.5V
Vgs（最大值） +10V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1365pF @ 12.5V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-VSON-CLIP（5x6）
封装/外壳 8-PowerTDFN
