SI2304DDS-T1-GE3
技术参数
品牌: VISHAY
型号: SI2304DDS-T1-GE3
批号: 2019+
封装:
SOT-23
数量: 320000
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 3.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 6.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.7 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: SI2
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 11 S
下降时间: 5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 10 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
零件号别名: SI2304DDS-GE3
单位重量: 8 mg
6月19日,美国商务部工业和安全局(BIS) 在《联邦公报》上发布了新的临时最终规则,该规则对《出口管理条例》(EAR)(15 CFR第730-774部分)进行了修正,“实体清单”中由华为组织指定与建立5G应用标准有关的技术将附加许可要求排除在外。
规则指出,鉴于美国在标准组织中的参与和领导的重要性,以及考虑到华为参与标准组织所引起的持续关注,该规则修订了实体列表,以授权某些未经许可的技术发布。
据悉,如果是出于开放性、平衡、正当程序等目的而发布的技术,被发布为EAR99或仅出于反恐(AT)原因而在Commerce Control List中受控制的EAR技术,为有助于修订或开发标准,可能会发布给包括华为在内的未经许可的标准组织成员。
新规下,美企在特定场景就可以直接和华为披露、讨论相关技术细节,不再需要先向美国政府申报。去年 5 月,美国将华为列入“实体清单”,即美国公司向华为出售或转让该国技术需要美国商务部工业与安全局(BIS)发放许可。
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