LP2980IM5X-3.3/NOPB
包装方式 剪切带（CT）
寿命周期 在售
输出配置 正
产品种类 低压差稳压器
制造商 Texas Instruments
RoHS 是
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOT-23-5
输出电压 3.3 V
输出电流 0.05 A
输出端数量 1 Output
极性 Positive
最大输入电压 16 V
最小输入电压 2.1 V
输出类型 Fixed
最小工作温度 - 40 C
最大工作温度 + 125 C
系列 LP2980-N
回动电压 120 mV
商标 Texas Instruments
回动电压—最大值 0.003 V at 0 A， 0.01 V at 1 mA， 0.06 V at 10 mA， 0.15 V at 50 mA
Ib - 输入偏流 65 uA
线路调整率 0.014 %/V
工作电源电流 65 uA
工作温度范围 - 40 C to + 125 C
产品 Ultra Low-Dropout Regulator
PSRR/纹波抑制—典型值 63 dB
工厂包装数量 3000
容差 3.5 %_
类型 Fixed-output voltage Regulator
电压调节准确度 +/- 1.5 %_
单位重量 6.300 mg
稳压器数 1
输入电压（最大值） 16V
电压 - 输出（最小值/固定） 3.3V
最大输出电压 -
压降（最大值） 0.22V @ 50mA
电源电流—最大值 1.2mA
PSRR - 电源抑制比 63dB（1kHz）
控制特性 使能
保护功能 过流，超温，短路
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-74A，SOT-753
记忆体大厂南亚科28日召开股东常会，董事长吴嘉昭对于产业市况表示，今年上半年， DRAM需求会较去年同期小幅成长，主要受惠于远端上班、视讯会议等，各种远端通讯需求，不过，对于下半年市况，吴嘉昭表示，目前仍在观察中。
对于今年以来的记忆体市况，吴嘉昭表示，全球新冠肺炎疫情扩散，使得远距教学、线上会议等需求明显增加，也因此同时带动第一季DRAM需求上扬，抵销手机等消费性产品的疲弱，在远距通讯的需求仍持续释出之下；吴嘉昭预计，今年上半年需求仍会小幅成长，但下半年部分，得观察欧美疫情的改善，以及全球经济复苏情况才能推定。
此外，吴嘉昭说，去年大环境不佳，南亚科也致力于优化20 纳米技术，同时也取得伺服器与一线资料中心客户的认证，公司会积极把取自伺服器与资料中心的营收占比提升；吴嘉昭也提到，将会在今年下半年试产自行开发的第一代10纳米技术，并会在明年量产，预计2022年试产自家开发的第二代10纳米技术。
今年年初，南亚科总经理李培瑛宣布，已完成自主研发 10 纳米级 DRAM 技术，将在今年下半年试产！
全球 DRAM 内存芯片主要掌握在三星、SK 海力士、美光三家公司中，他们的份额高达 95%_以上，关键原因就在于这三家的技术专利形成了极高的门槛，其他公司突围起来很难。
南亚科之前的内存也是来自美光授权，今年他们将转向自研的 10nm 级内存，未来将自产 DDR4/LPDDR4/DDR5 等内存颗粒。
在美光前两年全资收购华亚科之后，南亚科技变成了全球第四大内存厂，不过份额只有2%_左右，而且技术来源也主要是美光授权，而且技术落后较多，在三星、美光、SK 海力士转向 1X、1Y、1Znm 工艺之后，南亚的主力还是 30nm 等，来自美光授权，这两年才搞定 20nm 内存，也是授权+合作研发的模式，南亚上次自己搞内存研发还是 99nm 时代。
在 10nm 级内存芯片中，南亚决定自研了，目前 10nm 级前导产品预计会在今年下半年试产，主要包括 8Gb 核心的 DDR4、LPDDR4 及未来的 DDR5，都可以由自研的技术平台生产。
在解决 10nm 级内存工艺技术之后，南亚还会继续研发第二代 10nm 级工艺，预计 2022 年量产，还会开发第三代 10nm 级工艺。
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