全新原装，公司现货销售
型号：SUM50020EL-GE3
品牌：VISHAY
封装：TO263
参数：
FET 类型： N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.1 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：126nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 11113pF @ 30V
FET 功能： -
功率耗散：（最大值） 375W（Tc）
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装型
封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
