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PESD12VS2UT35VSOT-23180W原装正品

2020-11-9 10:32:00
  • PESD12VS2UT 35V SOT-23 180W原装正品

PESD12VS2UT 35V SOT-23 180W原装正品

文档Copper Bond Wire 09/Jun/2013

Resin Hardener 02/Jul/2013

Copper Bond Wire 02/Sep/2013

RohsLead free / RoHS Compliant

标准包装3,000

电压 - 反向隔离(典型值)12V

- 击穿电压14.7V

功率(瓦特)180W

极化2 Channel Array - Unidirectional

安装类型Surface Mount

包/盒TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装SOT-23-3

包装材料Tape & Reel (TR)

类型TVS

引脚数3

方向类型Uni-Directional|Bi-Directional

最大钳位电压35 V

每个芯片的元件数2

ESD保护电压30@Contact Disc/10@HBM kV

最大工作电压12 V

最大泄漏电流1 uA

电容值75 pF

最低工作温度-65 °C

最高工作温度150 °C

安装Surface Mount

标准包装Tape & Reel

最大钳位电压35

Package Width1.4(Max)

PCB3

最大泄漏电流1

欧盟RoHS指令Compliant

电容值75

最低工作温度-65

配置Dual Common Anode|Single

供应商封装形式TO-236AB

标准包装名称SOT-23

Maximum ESD Protection Voltage30@Contact Disc/10@HBM

最高工作温度150

最大工作电压12

Package Length3(Max)

Package Height1(Max)

封装Tape and_Reel

铅形状Gull-wing

电压 - 钳位(最大) @ IPP35V

安装类型Surface Mount

供应商设备封装SOT-23-3

电压 - 击穿(最小值)14.7V

单向通道数2

电压 - 反向隔离(标准值)12V (Max)

应用范围General Purpose

工作温度-65°C ~ 150°C

电容@频率38pF @ 1MHz

电源线保护No

功率 - 峰值脉冲180W

电流 - 峰值脉冲( 10/1000μS )5A (8/20μs)

封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

RoHS指令Lead free / RoHS Compliant

其他名称568-4025-1

极性Unidirectional

钳位电压19 V

产品种类TVS Diode Arrays

通道2 Channels

工厂包装数量3000

系列PESDxS2UT

端接类型SMD/SMT

工作电压12 V

安装风格SMD/SMT

电容207 pF

击穿电压15 V

RoHSRoHS Compliant

封装/外壳SOT-23

峰值浪涌电流18 A

零件号别名PESD12VS2UT T/R

峰值脉冲功率耗散180 W

外形尺寸1.4 mm W x 3 mm L x 1.1 mm H

漏电流(最大)1uA

工作温度范围-65C to 150C

元件数2

工作温度分类Military

反向击穿电压14.7 V

峰值脉冲电流5 A

反向断态电压12 V

测试电流(It )5 mA

弧度硬化No

工作温度最高摄氏度。150C

工作温度敏度。-65C

产品长度(mm )3 mm

产品厚度(毫米)1.4(Max) mm

产品高度(mm )1 mm

抑制器类型TVS

钳位电压(最大)35V

工作电压(最大值)12V

泄漏电流1uA

工作电压12V

kitsNXPESD1-KIT

 9月10日,中国半导体材料创新发展大会在宁波北仑正式召开,上海新昇半导体执行副总裁费璐博士在演讲中指出,目前中国有14家公司官宣介入300mm大硅片产业,总数量超过目前世界300mm硅片公司数。这些公司规划的总月产能为692万片,高于目前世界总产能。

  费璐指出,1976年到2018年的42年间增长了168倍,全球集成电路销售额从29亿美元上涨到了4703亿美元,年复合增长率为12.8%。其中增长最快的两个阶段分别由电脑和手机来驱动。

  费璐表示,硅片仍然在半导体材料中占据主导地位,而90%以上的芯片和传感器是基于半导体单晶硅制成。目前300mm大硅片的月产能为650万片,而且随着Fab数量的增长,大硅片产能必将持续增长。

  费璐进一步指出,大硅片生产技术包含拉晶、切、磨、抛和外延,步骤看似简单,但需要考虑的参数非常多,工艺工程师每天都要顾及到这些参数。硅片的核心技术是一个挑战极限的过程,费璐表示,这主要体现在四个方面:晶体生长、表面洁净、片内平整和消除金属/杂质。

  关于国内大硅片的现状,费璐透露,目前中国有14家公司官宣介入300mm大硅片产业,总数量超过目前世界300mm硅片公司数。这些公司规划的总月产能为692万片,高于目前世界总产能。

  这些公司资方各异,有大基金、国资、地方政府资金、国家项目资金,也有外资、私企和市场资本。费璐表示,这些公司规划的产能太高,实现起来可能没有那么容易。

  最后,费璐还介绍了上海新昇半导体的现状。作为第一家国产大硅片量产企业,新昇现有月产能已经达到了10万片,现有产房可容月产能为30万片,现有厂区可建月产能为60万片,扩建用地可达100万片/月产能。费璐表示,新昇要实现300mm国产大硅片从“0”到“1”的跨越,不断提高产品的深度和广度,满足客户需求。

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