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STD3NM60N数据表
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 2.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.8 Ohms
Pd-功率耗散: 50 W
配置: Single
商标名: MDmesh
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: STD3NM60N
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: STMicroelectronics
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
单位重量: 4 g
