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STL220N3LLH7数据表
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerFLAT-5x6-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 220 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 46 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 113 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: STL220N3LLH7
晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET
商标: STMicroelectronics
下降时间: 51 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 115 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 70 ns
典型接通延迟时间: 55 ns
单位重量: 100 mg
