CTUG3D ，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.发零售量大价优，电子元器件一站式配单配套服务，现货供应，照片是我们的产品实拍，因产品过多原因我们未对一一产品进行参数描述，如需了解更多产品信息和价格欢迎咨询和购买请联系我们的工作人员 电话：零七五五---八二七三二二九一/零七五五---八五二七四六六二，企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三四六九零六 .
TX2-5V
制造商: Panasonic
产品种类: 低信号继电器 - PCB
RoHS: 详细信息
产品: Low Profile Relays
线圈电压: 5 VDC
继电器触点形式: 2 Form C (DPDT-NO， NC)
触点额定值: 2 A at 30 VDC
触点电流额定值: 2 A
最大开关电流: 2 A
线圈电流: 28.1 mA
线圈类型: Non-Latching
功耗: 140 mW
触点端接: Solder Pin
绝缘: 20 dB
介入损耗: 0.8 dB
封装: Tube
触点形式: DPDT (2 Form C)
商标: Panasonic Industrial Devices
线圈电阻: 178 Ohms
触点材料: Silver (Ag)
安装风格: Through Hole
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LMR14203XMK
制造商: Texas Instruments
产品种类: 开关稳压器
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-Thin-6
输出电压: 765 mV to 34 V
输出电流: 300 mA
最大输入电压: 42 V
拓扑结构: Buck
最小输入电压: 4.5 V
开关频率: 1.25 MHz
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
系列: LMR14203
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
工作温度范围: - 40 C to + 125 C
类型: Step Down
商标: Texas Instruments
开发套件: LMR14203XMKDEMO/NOPB
工作电源电流: 1.3 mA
产品类型: Switching Voltage Regulators
工厂包装数量: 1000
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1SMB16CAT3G
产品种类: ESD 抑制器/TVS 二极管
RoHS: 详细信息
系列: SZ1SMBxxCAT3G
产品类型: TVS Diodes
Vesd - 静电放电电压触点: -
Vesd - 静电放电电压气隙: -
极性: Bidirectional
端接类型: SMD/SMT
击穿电压: 19.7 V
钳位电压: 26 V
Ipp - 峰值脉冲电流: 23.1 A
Cd - 二极管电容 : 520 pF
封装 / 箱体: DO-214AA-2 (SMB)
峰值脉冲功耗 (Pppm): 600 W
Pd-功率耗散: 3 W
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
工厂包装数量: 2500
---
LMR14203XMKX/NOPB
制造商: Texas Instruments
产品种类: 开关稳压器
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-Thin-6
输出电压: 765 mV to 34 V
输出电流: 300 mA
最大输入电压: 42 V
拓扑结构: Buck
最小输入电压: 4.5 V
开关频率: 1.25 MHz
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
系列: LMR14203
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
工作温度范围: - 40 C to + 125 C
类型: Step Down
商标: Texas Instruments
开发套件: LMR14203XMKDEMO/NOPB
工作电源电流: 1.3 mA
产品类型: Switching Voltage Regulators
工厂包装数量: 1000
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BSP752R
制造商: Infineon
产品种类: 电源开关 IC - 配电
RoHS: 详细信息
类型: High Side
输出端数量: 1 Output
输出电流: 1.3 A
电流限制: 6.5 A
导通电阻—最大值: 200 mOhms
工作电源电压: 6 V to 52 V
电源电压-最小: 6 V
电源电压-最大: 52 V
Pd-功率耗散: 1.5 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
运行时间—最大值: 180 us
空闲时间—最大值: 200 us
系列: Classic PROFET
资格: AEC-Q100
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
产品: Power Switches
商标: Infineon Technologies
湿度敏感性: Yes
产品类型: Power Switch ICs - Power Distribution
工厂包装数量: 2500
子类别: Switch ICs
商标名: PROFET
BSP752RXUMA2
BSP752RXT
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BAS16HT1G
产品种类: 二极管 - 通用，功率，开关
RoHS: 详细信息
产品: Switching Diodes
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOD-323
峰值反向电压: 75 V
If - 正向电流: 200 mA
配置: Single
恢复时间: 6 ns
Vf - 正向电压: 1.25 V
Ir - 反向电流 : 1 uA
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: BAS16H
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.9 mm
长度: 1.7 mm
类型: Switching Diode
宽度: 1.25 mm
商标: ON Semiconductor
产品类型: Diodes - General Purpose， Power， Switching
工厂包装数量: 3000
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TUSB8041IPAPRQ1
制造商: Texas Instruments
产品种类: USB 接口集成电路
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HTQFP-64
系列: TUSB8041-Q1
产品: USB Hubs
类型: Hub Controller
标准: USB 3.0
速度: Super Speed
数据速率: 5 Gb/s
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
资格: AEC-Q100
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: Texas Instruments
接口类型: GPIO， I2C， SMBus， USB
端口数量: 4 Port
开发套件: TUSB8041EVM
湿度敏感性: Yes
工作电源电压: 1.1 V， 3.3 V
产品类型: USB Interface IC
工厂包装数量: 1000
LAN83C185-JT
制造商: Microchip
产品种类: 以太网 IC
RoHS: 详细信息
产品: Physical Layer Transceivers
收发器数量: 1 Transceiver
封装: Tray
商标: Microchip Technology
湿度敏感性: Yes
产品类型: Ethernet ICs
工厂包装数量: 160
子类别: Communication & Networking ICs
单位重量: 6.667 g
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Si3226，Si3226-E-FQ
制造商: Silicon Laboratories
产品种类: 电信接口IC
产品: Subscriber Line Interface Circuits - SLICs
系列: Si3226
商标: Silicon Labs
产品类型: Telecom Interface ICs
子类别: Interface ICs
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IRMCK343TR
制造商: Infineon
产品种类: 马达/运动/点火控制器和驱动器
RoHS: 详细信息
类型: Sensorless Motor Driver
工作电源电压: 1.8 V， 3.3 V， 1.8 V， 3.3 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: QFP-64
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.45 mm (Max)
长度: 10 mm
工作温度范围: - 40 C to + 85 C
宽度: 10 mm
商标: Infineon Technologies
湿度敏感性: Yes
产品类型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
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PEB3265HV1.5
制造商: Infineon
产品种类: 电信接口IC
RoHS: 详细信息
产品: SLIC - Subscriber Line Interface Circuits
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
产品类型: Telecom Interface ICs
工厂包装数量: 504
子类别: Interface ICs
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STM32F105RBT6
制造商: STMicroelectronics
产品种类: ARM微控制器 - MCU
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LQFP-64
系列: STM32F105RB
核心: ARM Cortex M3
数据总线宽度: 32 bit
最大时钟频率: 72 MHz
程序存储器大小: 128 kB
数据 RAM 大小: 64 kB
ADC分辨率: 12 bit
输入/输出端数量: 51 I/O
工作电源电压: 2 V to 3.6 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Tray
高度: 1.4 mm
长度: 10 mm
程序存储器类型: Flash
宽度: 10 mm
商标: STMicroelectronics
数据 Ram 类型: SRAM
接口类型: CAN， I2C， SPI， USART
湿度敏感性: Yes
ADC通道数量: 16
计时器/计数器数量: 10 Timer
处理器系列: ARM Cortex M
产品类型: ARM Microcontrollers - MCU
工厂包装数量: 960
子类别: Microcontrollers - MCU
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 2 V
商标名: STM32
单位重量: 342.700 mg
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AD1939YSTZ
制造商: Analog Devices Inc.
产品种类: 接口—CODEC
RoHS: 详细信息
类型: Audio CODEC， Multi Channel
分辨率: 24 bit
转换速率: 192 kHz
接口类型: Serial
ADC 数量: 4 ADC
DAC 数量: 8 DAC
工作电源电压: 3.3 V to 5 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LQFP-64
封装: Tray
高度: 1.4 mm
长度: 10 mm
产品: Audio CODECs
系列: AD1939
宽度: 10 mm
商标: Analog Devices
THD + 噪声: - 94 dB
开发套件: EVAL-AD1939AZ
湿度敏感性: Yes
产品类型: CODECs
SNR – 信噪比: 107 dB ADC/112 dB DAC
工厂包装数量: 160
子类别: Interface ICs
电源电压-最大: 5 V
电源电压-最小: 3.3 V
单位重量: 342.700 mg
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ADS131E08IPAGR
制造商: Texas Instruments
产品种类: 模拟前端 – AFE
RoHS: 详细信息
系列: ADS131E08
分辨率: 24 bit
采样比: 64 kS/s
通道数量: 8 Channel
接口类型: Serial， SPI
电源电压-最大: 5.25 V
电源电压-最小: 2.7 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 105 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TQFP-64
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
特点: Daisy-Chainable， GPIO， Oscillator， PGA
功耗: 6 mW
结构: Sigma-Delta
商标: Texas Instruments
模拟电源电压: 2.7 V to 5.25 V
开发套件: ADS131E08EVM-PDK
数字电源电压: 1.8 V to 3.6 V
INL - 积分非线性: 0.002 %_
湿度敏感性: Yes
工作电源电压: 2.7 V to 5.25 V
Pd-功率耗散: 17.6 mW
产品类型: Analog Front End - AFE
SNR – 信噪比: 107 dB
工厂包装数量: 1500
子类别: Data Converter ICs
单位重量: 360.600 mg
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STM7E1AR
产品属性 属性值
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 开关 IC - 各种
RoHS: 详细信息
工作电源电压: 3.3 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TQFP-64
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
带宽: 50 kHz to 12000 kHz
高度: 1.4 mm
长度: 10 mm
系列: STM7E1AR
宽度: 10 mm
商标: STMicroelectronics
湿度敏感性: Yes
产品类型: Switch ICs - Various
工厂包装数量: 1000
子类别: Switch ICs
电源电压-最大: 3.465 V
电源电压-最小: 3.135 V
单位重量: 360.600 mg
0.1欧 2W 1%.jpg 6A10.jpg DS90C365AMTX.jpg MC94F1102AM.jpg MC94F1102AMBN.jpg WRA2412S-3WR2 1.jpg 高频电容 220UF 16V.jpg JK60-300.jpg STM32F030F4P6.jpg F1102AMB.jpg GR30-250 1.jpg 三相热保护器.jpg TF2929 65度.jpg GD32F103VET6.jpg SSR-40AA.jpg US2G.jpg BZT52C5V6S，W9.jpg KF2510连接器.jpg 芯片插座 DIP10.jpg TF2929，TO-92.jpg 80V120UF，120UF80V.jpg SMD2018-100-33.jpg WRA2412S-3WR2.jpg 2N5551 1.jpg 5.5MΩ.jpg 五类网络屏蔽网线.jpg S1OH18S.jpg AO3400A，X04V.jpg 33UF 50V.jpg 56uf450V，450V56UF.jpg GD25Q16CSIGR.jpg TL081 1.jpg 16MH 0.jpg 4AHC573，SN74AHC573PWR.jpg KSD9700 16A大功率.jpg TSOP38238.jpg 跳线帽 2.54MM.jpg TMB12A05.jpg 100V82uf，82uf100V.jpg 400V180UF，180UF400V.jpg ADM1485 1.jpg URA2412YMD-15WR3.jpg 可调电阻旋钮.jpg 4.7pf 50V 0402，EYANG，宇阳电容.jpg 2N5551 2.jpg NET-35B，100-240VAC.jpg CRSS042N10N.jpg 镀金单排圆孔插座 2.54MM 1.jpg UC3842B.jpg 2200UF35V，35V2200UF.jpg P4KE36A.jpg 芯片插座 DIP4.jpg 63V 6800uf，6800UF 63V，KMH系列.jpg MA805-64AE.jpg CAT6612C.jpg 6.8UF 50V 1.jpg 1N4749.jpg 8MHZ.jpg 16MH.jpg B0505LS-1W.jpg MP1542，MP1542DK-LF-Z.jpg 35V2200UF，2200UF35V.jpg 杜邦带锁 带头、座、针2.54MM 4P 单排.jpg DO-214AA.jpg STM32F103RCT6.jpg K6A60D 1.jpg NUP2105，NUP2105LT1G.jpg HW-101A.jpg 杜邦带锁 带头、座、针2.54MM 6P 单排.jpg OKI ML5100 ML5150色带.jpg 8MHZ 1.jpg FP6291.jpg KBPC608.jpg GBU808.jpg FHA20N50H 1.jpg LM1117S-1.5 1.jpg AO3400A.jpg TM1624.jpg ADM1485.jpg FHA20N60 1.jpg SII1161CTU.jpg 3300UF200V，200V3300UF，3300UF-200V.jpg 耐力色带.jpg L7805CV.jpg FM24C08D-SO.jpg Y1 222PF 400V，Y1，400V222PF.jpg 6.8UF 50V.jpg MCP2030AI.jpg 2030AI.jpg RU40150S，TO-263.jpg V-155-1C25 2.jpg 红波按钮，红波开关.jpg FQA11N90C.jpg TF2929 90度.jpg 碳膜电阻 10K.jpg RU6888R04.jpg SN74LS47N.jpg NCFSESA8-08G.jpg
HT48R06A-1(18SOP)
HT48R06A-1(18SKDIP)
S9014 C945 C1815 A1015 A733 S8050 S8550 S9015 KSP10 KSP13 D965 ， D882 B772 MJE13003 BD139 BD140 BD237 BD238 BD437 BD435 BD438 BD436
S9014 C945 C1815 A1015 A733 S8050 S8550 S9015 KSP10 KSP13 D965 ， D882 B772 MJE13003 BD139 BD140 BD237 BD238 BD437 BD435 BD438 BD436
TAJC476K016RNJ
LDA20-24S5
EX039D 12.800MHz DIP-8
LDA10-24S5W
LDA10-48S3V3W
LDA10-48S5W
LDA10-48S12W
LDA16-48S3V3W
LDAP20-12S3V3
LDAP20-12S5
LDAP20-48S3V3P
LDAP20-48S5P
LDAP30-24S5LDAP
BBE30N48P5
BBE40N48P5
BBE10N48P12
BBE20N48P12
BBE22N48P12
LDFE125-24S3V3
LDFE100-24S5
LDFE75-24S48
LDFE125-48S1V2
LDFE150-48S1V0
LDFE150-48S1V2
LDFE100-48S1V8
LDFE125-48S1V8
LDFE125-48S2V5
LDFE150-48S2V5
LDFE50-48S3V3
LDFE75-48S3V3
LDFE100-48S3V3
BBE30N48P5
BBE40N48P5
BBE10N48P12
BBE20N48P12
BBE22N48P12
LDFE125-48S3V3
LDFE150-48S3V3
LDFE50-48S5
LDFE75-48S5
LDFE100-48S48
LDFE75-48S5W
ABE20N48P5W
LDFE50-48S12W
LDFE75-48S12W
LDFE100-48S12W
BBE15N48P3V3
BBE20N48P3V3
BBE25N48P3V3
BBE30N48P3V3
BBE10N48P5
BBE15N48P5
BBE20N48P5
HT48R06A-1(18SKDIP)
TYPE-C/VGA
TYPE-C/HDMI
MJE182G
LSD4WF0556-01D0
LSD4WF-2MD05105
BUK7Y21-40EX
IS46TR16128B-15HBLA1
IS46TR16128A-15HBLA2
IS46TR16128B-15HBLA2
IS46TR16128B-15HBLA1
IS46TR16128A-15HBLA2
IS46TR16128B-15HBLA2
IS46TR16128B-15HBLA2
IS46TR82560B-125KBLA2
IS46TR16512AL-125KBLA1
IS46TR16256AL-107MBLA1
PTVS18VS1UTR，115
PUMD24，115
BAV3004W-7-F
VIPER37LD
VIPER35HDTR
VIPER37LDTR
CAT5241YI-25
CAT5241YI-00
CAT5241YI-50
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CAT5241WI-50-GT3
L1N4148FT1G
L1N4148WT1G
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LED0805GF(HT17-2102SYGC)
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XPC560SKIT176S
XRP29302ETBTR-L
NPIC6C595D，118
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AS3912-BQFM
DS1337S+TR
TDF8546J
TDF8546J
TDF8546J/N2
CAT150049SWI
CAT150049SWI
LR6232B33M
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LR6302A33M
MP3202DJ-LF-Z
MP3202DJ-LF-Z
LV8731V-TLM-H
DSO321SR 24MHZ 20ppm 3.3V
DSO321SR 50MHZ 3.3V 50PPM
B6S
TP1544A-TR
TP1544A-TR
LH75411N0Q100C0，55
ESD112-B1-02EL
2031-23T-SM-RPLF
RU7570L
RU7570L
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LBC817-25LT1G
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74LV125PW，118
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PCF8545ATT
PCF8545ATT
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CAT9534YI-GT2
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CAT9534YI
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TJ4230GRS-ADJ
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TDZTR12
NTB6410ANT4G
NTB6410ANT4G
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L6388ED013TR
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SP211ECT
SP211ECT
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BFQ67
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CAT24WC02J-1.8
CAT24WC08WI
CAT24WC04WI
CAT24WC08WI
CAT24WC04WI
CAT24WC02PI
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CAT24WC64JI
CAT24WC128J
CAT24WC02J-1.8
PMDT290UCE，115
MKM14Z64ACHH5
MKM14Z64ACHH5
E524.14(QFN20L5)
E524.14A
BS82B12A-3
E93197A54D
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IS62C256AL-45ULI
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LPC2919FBD144/01/
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M7
MS 8-bit Microcontrollers
型号 封装 堆
栈
指
令
周
期
引脚 存储器
电
压
范
围
运行速度 模拟检测、测量 数字
IIC备注
总
数
I/O
ROM(Flash)
RA
M
EEPROM
内
部
低
速
振
荡
器
外
部
振
荡
器
内
部
振
荡
器
10位
ADC 内
部
固
定
参
考
电
压
比
较
器
运
放
12位PW
M
8位
定
时
器
16位
定
时
器
看
门
狗
CCP（EPW
M）
MS80F0601 SOT23-6 8 4T 6 4 1k 64 256 2.0-5.5V 32K / 16M / / / / / 2 / √ / /
1、全系列Flash+EEPROM
2、采用PIC-C编译器:PICC 9.83
3、待机电流最低至0.35μA@3.3V
MS80F0801 SOP8 8 4T 8 6 1k 64 256 2.0-5.5V 32K / 16M / / / / / 2 / √ / /
MS81F0802 SOP8 8
2T/
4T
8 6 2k 128 256 2.0-5.5V 32K √ 16M / / 1 / / 2 / √ / /
MS81F1402 SOP14 8
2T/
4T
14 12 2k 128 256 2.0-5.5V 32K √ 16M / / 2 / / 2 / √ / /
MS81F1602 SOP16 8
2T/
4T
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MS81F1802 SOP18 8
2T/
4T
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MS81F2002 SOP20 8
2T/
4T
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MS82F0802A SOP8 8
2T/
4T
8 6 2k 128 128 2.0-5.5V 32K √ 16M / / / / / 2 1 √ 1 /
型号 封装 堆
栈
指
令
周
期
引脚 存储器
电
压
范
围
运行速度 模拟检测、测量 数字
IIC备注
总
数
I/O
ROM(Flash)
RA
M
EEPROM
内
部
低
速
振
荡
器
外
部
振
荡
器
内
部
振
荡
器
10位
ADC 内
部
固
定
参
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电
压
比
较
器
运
放
12位PW
M
8位
定
时
器
16位
定
时
器
看
门
狗
CCP（EPW
M）
MS82F0802B SOP8 8
2T/
4T
8 6 2k 128 128 2.0-5.5V 32K √ 16M / / / / / 2 1 √ 1 /
1、全系列Flash+EEPROM
2、采用PIC-C编译器:PICC 9.83
3、待机电流最低至0.35μA@3.3V
MS82F1402A SOP14 8
2T/
4T
14 12 2k 128 128 2.0-5.5V 32K √ 16M / / / / / 2 1 √ 1 /
MS83F0802A SOP8 8
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型号 封装 堆栈 指令周期 引脚 存储器 电压范围 运行速度 模拟检测、测量 数字 IIC备注 总数I/O ROM(Flash) RAM EEPROM 内部低速振荡器 外部振荡器 内部振荡器 10位ADC 内部固定参考电压 比较器 运放 12位PWM 8位定时器 16位定时器 看门狗 CCP（EPWM） MS84F2004B SOP20 8 2T/ 4T 20 18 4k 256 256 2.0-5.5V 32K √ 16M 7+1 √ 2 √ 4 2+4 1 √ 1 / 1、全系列Flash+EEPROM 2、采用PIC-C编译器:PICC 9.83 3、待机电流最低至0.35μA@3.3V MS85F1602 SOP16 8 2T/ 4T 16 14 2k 128 256 2.0-5.5V 32K √ 16M / / / / / 2 1 √ / 1 MS85F2802 SOP28 8 2T/ 4T 28 26 2k 128 256 2.0-5.5V 32K √ 16M / / / / / 2 1 √
材料工程助力下一代存储器量产进程
导读：应用材料公司是全球最大的半导体设备公司，一直推动基于材料工程技术的创新与产业变革。材料工程学是半导体技术的基础之一，新型材料的科学运用往往决定着半导体技术的进步。应用材料公司正是积极投入这一领域开发的公司之一。
应用材料中国公司首席技术官赵甘鸣表示，随着摩尔定律的放缓，半导体产业正面临全新的技术变革，需要最底层的材料工程技术的发展，提供强有力的支撑。为此，过去10年中应用材料公司每年平均用于研发的投入都超过10亿美元，2018财年的研发投入更达到了20亿美元，就是希望推动半导体技术的革新。
根据赵甘鸣的介绍，应用材料公司目前重点关注5 大项目，包括新芯片架构的开发，如Google的TPU；新3D技术，如3D NAND存储器中的新3D架构；新材料的运用，如在高端逻辑芯片中对钴的应用；新微缩技术的开发，如自我对准多重图形的新微缩技术，使芯片制程中减少对光刻的依赖；先进封装技术，如对系统级封装（SiP）技术的支持等。而下一代存储器量产技术正是应用材料公司关注的重点之一。
对此，应用材料公司金属沉积产品事业部全球产品经理周春明表示，新型存储器具有更快的存取速度，更好的耐用性，更小的裸片尺寸、成本和功耗等性能优势。例如，以统合式 MRAM 解决方案取代微控制器中的 eFlash 和 SRAM，可节省90%的功耗；采用单一晶体管 MRAM 取代六个晶体管SRAM，可以实现更高的存储密度和更小的芯片尺寸。而将PCRAM 或者ReRAM用于数据中心存储系统当中，相较于传统的NAND，可以提供超过10倍的存取速度，有望成为未来云服务数据中心的首选。因此，发展下一代存储器受到业界的普遍重视。不过，周春明也指出，目前下一代存储器在量产制程方面仍然存在很多瓶颈，这些新型存储器的量产工艺具有独特的挑战，只有在设备技术上有所突破才有望实现它们的规模化量产。.
Clover PVD为复杂的MRAM沉积而设计
MRAM是一种非易失性存储介质，具有更快的存取速度和高度耐用性，因此在边缘设备中具有替代NAND闪存和部分SRAM的潜质。不过，目前MRAM量产制造方面的挑战很多，比如MRAM是一种非常复杂的薄膜多层堆叠结构，且由10多种不同材料和超过30层以上的薄膜堆叠而成。部分薄膜层的厚度仅有几埃，接近一颗原子的程度。而要想控制这种厚度的薄膜层，实现均匀沉积，并保证介面层的品质，其中的挑战可以想见。
应用材料公司新推出的Endura Clover MRAM PVD 系统是业界首款具备量产价值的MRAM平台，包括可进行材料沉积、介面清洁和热处理等。根据周春明的介绍，其核心部分是 Clover PVD 腔室，可在原子层级精度下沉积多达五种材料。而整个系统可以整合7个Clover PVD 腔室，因此，在一个PVD 系统当中就可以完成10 多种不同材料和超过30层以上的沉积。由于不需要像以往设备那样进行真空中断，将大幅提升成品率。
遂道结氧化镁是影响产品效能的关键，Clover PVD可以对氧化镁实现更优质的沉积效果，是目前市场上唯一可以通过陶瓷溅射来沉积氧化镁的解决方案。另一种替代技术需要两个步骤，先沉积镁，然后再氧化，最终形成氧化镁。Clover PVD 氧化镁沉积技术可以提高MRAM的低功耗、高耐久性能。
另外，Endura Clover机载的计量技术可以实现即时流程监控，也有助于提高成品率，除低制造成本。
Impulse PVD可实现卓越的成分控制
ReRAM和 PCRAM同样属于非易失性存储器，适合作为“存储级存储器”填补服务器DRAM和NAND闪存之间不断扩大的性价比差距。ReRAM和PCRAM在制造过程中，同样具有诸多挑战，比如需要用到非常独特的材料进行制备。以相变单元材料为例，产业界花了数十年的时间才发现具有适当成分的锗锑碲复合物薄膜材料。挑战在于如何沉积这些复合材料，如何控制其组分，如何控制形成多层结构的界面。这些因素都会对PCRAM、ReRAM最终产品性能造成影响。
应用材料针公司对PCRAM和ReRAM量产化开发的Endura? Impulse? PVD系统，可精准地在真空环境下实现各种薄膜堆叠沉积，为复合薄膜提供了紧密的成分控制。Impulse PVD 腔室通过优化也提供了绝佳的薄膜厚度、均匀度和介面控制，這些都是实现器件高性能高产量的关键。
Endura平台装备的机载计量技术可以解决存储器制造中的测量与控制问题。下一代存储器薄膜中有许多是对空气敏感的，传统的测量设备会暴露于外界空气环境中，无法对产品进行可靠地测量。Endura 平台装备的机载计量技术适用于各种应用，实现精确的厚度控制。机载计量是一种光学测量工具，可提供真空、芯片机载计量、亚埃级秒内敏感度，逐层监控产品异常检测和产量改进，以确保复杂的技术过程处于监控之中。
在原子层级做规模工业的适用技术
量产化始终是MRAM、 PCRAM、ReRAM等下一代存储器的障碍。以往这些产品基本只能进行小规模生产，成品率不高，甚至是只能实验室制备，过高的成本阻碍其商用化进程。而应用材料公司新推出的两款沉积设备都希望推进MRAM、PCRAM、ReRAM的规模量产。
“针对MRAM的Clover PVD 系统，针对PCRAM和ReRAM的Impulse PVD 系统，再加上机载计量技术，都可协助下一代存储器的大规模量产成为可能。”周春明表示，“首先是实现产品的性能保证，同时在扩大生产效率的基础上，提高生产的良率。这是在原子层级做大规模的工业化适用技术。”
那么，MRAM、 PCRAM、ReRAM等下一代存储器什么时间，有望进入商用化时代呢。周春明预测未来3-5年中，下一代存储器在解决了制造瓶颈后将快速进入市场。除沉积技术之外，下一代存储器在制造方面还存在着许多上需要克服的环节。比如沉积之后就需要进行刻蚀，刻蚀工艺也存在许多需要改善的环节。
赵甘鸣则表示，应用材料公司还有多条设备产品线，除沉积以外，其他方面也在持续推进当中。相信未来会有更多产品亮相，下一代存储器也将进入规模量产时代。
