IRLML6401TRPBF产品详细规格
高度 1.02mm
晶体管材料 Si
类别 功率 MOSFET
长度 3.04mm
典型输入电容值@Vds 830 pF@ 10 V
通道模式 增强
安装类型 表面贴装
每片芯片元件数目 1
最大漏源电阻值 50 mΩ
通道类型 P
Board Level Components Y
最高工作温度 +150 °C
最大栅阈值电压 0.95V
最低工作温度 -55 °C
最大功率耗散 1.3 W
最大栅源电压 ±8 V
宽度 1.4mm
尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm
最小栅阈值电压 0.4V
最大漏源电压 12 V
典型接通延迟时间 11 ns
典型关断延迟时间 250 ns
封装类型 微型
最大连续漏极电流 4.3 A
引脚数目 3
晶体管配置 单
典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 5 V
工厂包装数量 3000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage - 12 V
晶体管极性 P-Channel
Rds On - Drain-Source Resistance 50 mOhms
Pd - Power Dissipation 1.3 W
品牌 Infineon Technologies
Id - Continuous Drain Current - 4.3 A
封装 Reel
身高 1.1 mm
安装风格 SMD/SMT
长度 2.9 mm
封装/外壳 SOT-23-3
通道数 1 Channel
Qg - Gate Charge 10 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 8 V
晶体管类型 1 P-Channel
