数据列表 2SK2225 Datasheet;_
标准包装 1
包装 管件
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 1500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 12 欧姆 @ 1A，15V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 984.7pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 50W（Tc）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-3PFM
封装/外壳 TO-3PFM，SC-93-3
