BCP53-16，115产品详细规格
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1，000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流（Ic）（最大） 1A
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 80V
Vce饱和（最大）@ IB，IC 500mV @ 50mA， 500mA
电流 - 集电极截止（最大） -
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE 100 @ 150mA， 2V
功率 - 最大 1W
频率转换 145MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-261-4， TO-261AA
供应商器件封装 SC-73
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 4SOT-223
类型 PNP
引脚数 4
最大集电极发射极电压 80 V
集电极最大直流电流 1 A
最小直流电流增益 100@150mA@2V
最大工作频率 145(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.5@50mA@500mA V
最大集电极基极电压 100 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 1350 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 1
Maximum Transition Frequency 145(Typ)
包装宽度 3.7(Max)
PCB 3
最大功率耗散 1350
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 100
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SC-73
标准包装名称 SOT-223
最高工作温度 150
包装长度 6.7(Max)
最大集电极发射极电压 80
包装高度 1.7(Max)
最大基地发射极电压 5
封装 Tape and_Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极（ Ic）（最大） 1A
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 145MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 500mV @ 50mA， 500mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 80V
供应商设备封装 SC-73
功率 - 最大 1W
封装/外壳 TO-261-4， TO-261AA
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 100 @ 150mA， 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 568-6105-1
类别 Bipolar Power
配置 Single Dual Collector
外形尺寸 1.7 x 6.7 x 3.7mm
身高 1.7mm
长度 6.7mm
最大基地发射极电压 5 V
最高工作温度 +150 °C
最低工作温度 -65 °C
包装类型 SC-73
宽度 3.7mm
工厂包装数量 1000
增益带宽产品fT 145 MHz
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
直流集电极/增益hfe最小值 100 at 150 mA at 2 V
直流电流增益hFE最大值 100 at 150 mA at 2 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 80 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 100 V
零件号别名 BCP53-16 T/R
RoHS RoHS Compliant
集电极电流（ DC）（最大值） 1 A
集电极 - 基极电压（最大值） 100 V
集电极 - 发射极电压 80 V
发射极 - 基极电压（最大值） 5 V
频率（最大） 145 MHz
功率耗散 1 W
工作温度范围 -65C to 150C
元件数 1
直流电流增益 100@150mA@2V
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
输出功率（最大） Not Required W
直流电流增益（最小值） 100
集电极 - 基极电压 100 V
发射极 - 基极电压 5 V
频率 145 MHz
集电极电流（DC ） 1 A
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :-80V
Transition Frequency ft :145MHz
功耗 :650mW
DC Collector Current :-1A
DC Current Gain hFE :100
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-223
根据英国广播公司(BBC)获得的内部文件称，英国芯片设计商ARM将暂停与华为的全部业务。据报道，ARM指示员工暂停与华为及其子公司的“所有在履行的合同，授权许可证和任何在商谈中的合同”，以遵守最近美国的贸易禁令。BBC称ARM的芯片设计构成了全球大多数移动设备处理器的基础。
该公司在一份备忘录中表示，因为其设计包含“源自美国的技术”，因此，它认为自己受到了特朗普政府对华为销售禁令的影响。
ARM公司中止与华为合作 恐影响未来华为手机发展
一位分析人士称，如果这一举措持续时间较长，将对华为的业务构成“无法克服的”打击。他说，这将极大地影响华为开发自己芯片的能力，其中许多芯片目前都是用ARM的基础技术制造的，华为为此购买了许可证。分析人士称，如果与ARM分道扬镳，华为将难以开发下一代麒麟处理器。ARM公司在一份声明中表示，正在“遵守美国政府制定的所有最新规定”，ARM发言人拒绝就其与华为的合同目前的状况提供更多的信息。华为公司的发言人表示，该公司“目前不会发表评论”。
ARM是一家成立于1990年的芯片设计公司，总部仍位于英国剑桥。ARM公司本身并不生产处理器，而是将其技术授权给世界上许多著名的半导体、软件和OEM厂商。全世界有超过95%的智能手机和平板电脑都采用了ARM架构 ，我们熟知的三星Exynos处理器、高通的骁龙处理器(Qualcomm Snapdragon)或苹果(Apple) A11芯片，包括华为(Huawei)智能手机上的处理器都采用了ARM公司的技术。
