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K3563数据表
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 5 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 35 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
高度: 15 mm
长度: 10 mm
系列: 2SK3563
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
商标: Toshiba
下降时间: 10 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
子类别: MOSFETs