型号：2SK3078A

制造商: Toshiba

产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS: 详细信息

晶体管极性: N-Channel

技术: Si

Id-连续漏极电流: 500 mA

Vds-漏源极击穿电压: 10 V

增益: 8 dB

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PW-Mini-3

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

工作频率: 470 MHz

系列: 2SK3078

类型: RF Power MOSFET

商标: Toshiba

Pd-功率耗散: 3 W

产品类型: RF MOSFET Transistors

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压: 5 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

单位重量: 50 mg