属性
数值
晶体管类型
NPN
最大直流集电极电流
12 A
最大集电极-发射极电压
400 V
封装类型
TO-3P
安装类型
通孔
最大功率耗散
130 W
最小直流电流增益
6
晶体管配置
单
最大集电极-基极电压
700 V
最大发射极-基极电压
9 V
引脚数目
3
每片芯片元件数目
1
长度
15.8mm
最大基极-发射极饱和电压
1.6 V
最大集电极-发射极饱和电压
3 V
最高工作温度
+150 °C
尺寸
15.8 x 5 x 20.1mm
高度
20.1mm
宽度
5mm