深圳市汇创佳电子科技有限公司0755-82545498 13538016218 QQ：531398920朱先生
数据列表 IPx072，75N15N3 G
标准包装 500
包装 管件
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 OptiMOS??
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 7.5 毫欧 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V 270μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 93nC 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5470pF 75V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220-3
封装/外壳 TO-220-3
