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Wolfspeed 的 900 V SiC MOSFET 平台专为高频电力电子应用而优化，包括可再生能源逆变器、电动汽车充电系统和三相工业电源。900 V 平台可实现更小、更高效的下一代电源转换系统，且与基于芯片的解决方案成本相当。
特性
C3M SiC MOSFET 技术
具有驱动器源极引脚的低阻抗封装
高阻断电压，低 RDS(ON)
具有低反向恢复 (Qrr) 的快速本征二极管
低输出电容 (60 pF)
无卤素；符合 RoHS 规范
漏极和源极之间的宽爬电距离 (~7 mm)
应用
再生能源
EV 电池充电器
高压 DC/DC 转换器
开关模式电源
C3M0065090J C3M0065090J-TR 类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Cree/Wolfspeed
系列 C3M?
FET 类型 N 沟道
技术 SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss） 900V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 78 毫欧 @ 20A，15V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 30nC @ 15V
Vgs（最大值） +19V，-8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 660pF @ 600V
功率耗散（最大值） 113W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK-7
封装/外壳 TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA
C3M0065090J
C3M0065090J-TR
深圳市烨弘轩电子有限公司，我司2011年成立于中国经济特区深圳.我司专注于为全球电子企业提供优质的电子零件供应服务，竭力打造全球品牌元器件零售与批量供应中心。
专业经营各类电子元器件（集成电路IC，存储芯片，分立器件，电源，无源元件，连接器，继电器，传感器，光电子，开关，保险元件，紧固件，开发工具，变压器，测试与测量等）。
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公司经营目标：整合全球资源全 芯 全意为您服务。
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主营 : 主动电子元器件 集成电路 IC 芯片 （AD TI MAX NXP ST LT XILINX ALTERA）等。
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