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TP65H050WS精品现货热销TP65H035WS

2024-2-18 9:00:00
  • TP65H050WS 伺服电机 TP65H035WS 数据通信

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Transphorm 的 TP65H050WS 和 TP65H035WS 为 Gen III 650 V GaN FET。它们可以降低 EMI,提高栅极噪声抗扰度,并在电路应用中提供更大的裕量。50 mΩ TP65H050WS 和 35 mΩ TP65H035WS 采用标准 TO-247 封装

MOSFET 和设计修改使 Gen III 器件能够将阈值电压(抗噪声)从 2.1 V (Gen II) 提升到更高的 4 V,从而无需负栅极驱动。栅极可靠性比第二代增加了11%,最高达到 ±20 V.这样可以实现更安静的切换,并且该平台可通过简单的外部电路在更高的电流水平下提供性能改善。

Seasonic Electronics 公司的 1600T 是 1600 W 无桥图腾柱平台,使用这些高压 GaN FET 为电池充电器(电动滑板车、工业应用等)、PC 电源、服务器和游戏市场带来 99%_的功率因数校正 (PFC) 效率。将这些 FET 与基于芯片的 1600T 平台一起使用的好处包括效率提高 2%,功率密度提高 20%。

1600T 平台采用 Transphorm 的 TP65H035WS,以提高硬开关和软开关电路的效率,并在设计电源系统产品时提供用户选择。TP65H035WS 可与常用的栅极驱动器配对,简化了设计。

特性

符合 JEDEC 标准的 GaN 技术

稳健的设计:

本征使用寿命测试

宽栅极安全裕量

瞬态过压能力

动态 RDS(on)eff 生产测试

非常低的 QRR

降低了分频损耗

符合 RoHS 规范且无卤素的封装

实现交流/直流 (AC/DC) 无桥图腾柱 PFC 设计

更高的功率密度

减小系统尺寸和重量

提高 Si 的效率/运行频率

使用常用的栅极驱动器易于驱动

GSD 引脚布局改善了高速设计

应用

数据通信

广泛的工业应用

PV 逆变器

伺服电机

TP65H050WS TP65H035WS 类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 Transphorm

FET 类型 N 沟道

技术 GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss) 650V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 22A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.8V @ 700μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 24nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1000pF @ 400V

功率耗散(最大值) 119W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-247-3

封装/外壳 TO-247-3

TP65H050WS

TP65H035WS

TDTTP4000W066B-KIT

TDINV3000W050-KIT

深圳市烨弘轩电子有限公司,我司2011年成立于中国经济特区深圳.我司专注于为全球电子企业提供优质的电子零件供应服务,竭力打造全球品牌元器件零售与批量供应中心。

专业经营各类电子元器件(集成电路IC,存储芯片,分立器件,电源,无源元件,连接器,继电器,传感器,光电子,开关,保险元件,紧固件,开发工具,变压器,测试与测量等)。

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深圳市烨弘轩电子有限公司 重点客户遍布中国内地 港 澳 台地区,另外欧美发达国家以及 一代一路沿线发展中国家我司也有大量长期合作的优质客户。

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主营 : 主动电子元器件 集成电路 IC 芯片 (AD TI MAX NXP ST LT XILINX ALTERA)等。

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