CDSOT23-T36C产品详细规格

CDSOT23-T03，T36C Series

Status Active

XPackage 3SOT-23

Family DSILC6-4

Type Diode Arrays

Capacitance Value 3 pF

Number of Elements per Chip 4

ESD Protection Voltage 15@Air Gap|8@Contact Disc KV

Maximum Leakage Current 0.5 uA

类型 TVS

引脚数 3

方向类型 Bi-Directional

最大钳位电压 76.8 V

每个芯片的元件数 2

ESD保护电压 ±30@Air Gap/±30@Contact Disc kV

最大工作电压 36 V

最大泄漏电流 1 uA

电容值 80 pF

最低工作温度 -55 °C

最高工作温度 150 °C

安装 Surface Mount

标准包装 Tape & Reel

供应商封装形式 SOT-23

标准包装名称 SOT-23

欧盟RoHS指令 Compliant

最高工作温度 150

配置 Single

包装高度 1.11(Max)

最大钳位电压 76.8

最大工作电压 36

电容值 80

包装宽度 1.4(Max)

PCB 3

包装长度 3.04(Max)

最低工作温度 -55

最大泄漏电流 1

最大ESD保护电压 ±30@Air Gap/±30@Contact Disc

铅形状 Gull-wing

封装 Tape & Reel (TR)

电压 - 钳位（最大） @ IPP 76.8V

安装类型 Surface Mount

双向通道数 1

供应商设备封装 SOT-23-3

电压 - 击穿（最小值） 40V

电压 - 反向隔离（标准值） 36V

应用范围 General Purpose

工作温度 -55°C ~ 150°C

电容@频率 60pF @ 1MHz

电源线保护 No

功率 - 峰值脉冲 500W

电流 - 峰值脉冲（ 10/1000μS ） 9A (8/20μs)

封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

其他名称 CDSOT23-T36CCT

极性 Bidirectional

钳位电压 76.8 V

产品种类 TVS Diode Arrays

通道 2 Channels

工厂包装数量 3000

系列 CDSOT23-TxxC

端接类型 SMD/SMT

工作电压 36 V

安装风格 SMD/SMT

击穿电压 40 V

RoHS RoHS Compliant

封装/外壳 SOT-23

峰值浪涌电流 9 A

零件号别名 CDS0T23-T36C

峰值脉冲功率耗散 500 W

外形尺寸 1.4 (Max) mm W x 3.04 (Max) mm L

漏电流（最大） 1uA

工作温度范围 -55C to 150C

包装类型 SOT-23

元件数 1

工作温度分类 Military

反向击穿电压 40 V

峰值脉冲电流 9 A

反向断态电压 36 V

测试电流（It ） 1 mA

弧度硬化 No

工作温度最高摄氏度。 150C

工作温度敏度。 -55C

产品长度（mm ） 3.04 mm

产品厚度（毫米） 1.4(Max) mm

产品高度（mm ） 1.11(Max) mm

抑制器类型 TVS

钳位电压（最大） 76.8V

工作电压（最大值） 36V

泄漏电流 1uA

工作电压 36V

TVS Polarity :Bidirectional

Reverse Stand-Off Voltage Vrwm :36V

Breakdown Voltage Min :40V

Clamping Voltage Vc Max :76.8V

Peak Pulse Current Ippm :9A

Diode Case Style :SOT-23

No. of Pins :3

功耗 :500W

MSL :MSL 1 - Unlimited

SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)

Weight (kg) 0.06

Tariff No. 85411000

香港鑫锐保证原装进口现货

鑫锐电子（香港）有限公司，18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ，一站式终端厂家配套：(质量保证 诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。

主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。

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TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208、SGM2036-3.3YUDH4G/TR等等

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摘要 – 在未来几年投入使用SiC技术来应对汽车电子技术挑战是ECSEL JU 的WInSiC4AP项目所要达到的目标之一。ECSEL JU和ESI协同为该项目提供资金支持，实现具有重大经济和社会影响的优势互补的研发活动。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牵头，20个项目合作方将在技术研究、制造工艺、封装测试和应用方面展开为期36个月的开发合作。本文将讨论本项目中与汽车相关的内容，重点介绍有关SiC技术和封装的创新。

关键词 - SiC，封装，汽车，功率电子

Introduction

简介

WInSiC4AP联盟由来自4个欧盟国家(意大利、法国、德国和捷克共和国)的20个合作伙伴组成，包括大型企业、中小企业、大学和政府科研机构。在这种背景下，企业(汽车制造、航空电子设备、铁路和国防)和垂直产业链(半导体供应商，电感器和电容器厂商)以及学术机构和研究实验室将合作设计解决方案，解决技术难题，分享专有知识，同时也可能出现无法预料的结果。WInSiC4AP的核心目标是为高能效、高成本效益的目标应用开发可靠的技术模块，以解决社会问题，克服欧洲在其已处于世界领先水平的细分市场以及汽车、航空电子、铁路和国防领域所面临的技术挑战。WInSiC4AP方法是依靠产业垂直整合的优势，按照应用需求优化技术，发展完整的生态系统，并将相关问题作为可靠性问题给予全面分析。在当今美日等国家正在发展碳化硅技术，新企业抢占市场的背景下，该项目将提升欧盟工业、一级和二级供应商以及产业链下游企业的竞争力。项目组将针对目标应用开发新的拓扑结构和架构，在实验室层面模拟操作环境，推进目前急需的还是空白的技术、元器件和演示产品的研发工作，以缩小现有技术水平与技术规范的极高要求之间的差距。

在开始讨论技术和开发目标前，先看一下图1的电动汽车概念的简单示意图。在这种情况下，功率转换系统和牵引电机所用的电子元器件是本项目的研究方向。

I. WInSiC4AP 的主要目标

A. 主要目标

WInSiC4AP致力于为高能效、高成本效益的目标应用开发可靠的技术模块，以解决社会问题，并克服欧洲在其已处于世界领先水平的细分市场以及汽车、航空电子、铁路和国防领域所面临的技术挑战。

B. 演示品

所有技术开发和目标应用的讲解和展示都是使用含有本项目开发出来的SiC技术模块和封装的原型演示品：

汽车与铁路：

1.PHEV(插电式混动汽车)或BEV(纯电动汽车)车载充电器

2.HEV(混动汽车)、BEV和FC(燃料电池汽车)隔离式DC-DC转换器

3. 铁路机车智能功率开关(IPS-RA)

4. 航空级智能功率开关(IPS-AA)

纳 / 微电网与航空电子：

5.用于纳米/微电网V2G / V2H的高效双向SiC功率转换器

6.航空电子逆变器。

航空电子：

7. LiPo接口

8.引擎控制器 - 逆变器

该项目的实施分为三个主要阶段：规范和用例定义，技术开发，原型演示品开发。CDSOT23-T36CCDSOT23-T36C

II. WInSiC4AP项目中的SiC技术CDSOT23-T36CCDSOT23-T36C

SiC器件的制造需要使用专用生产线，这是因为半导体的物理特性(掺杂剂的极低扩散性和晶格的复杂性)，以及市场现有晶片的直径尺寸较小(150mm)，特别是离子注入或掺杂剂激活等工艺与半导体器件制造工艺中使用的常规层不相容[1]。

因此，这些特异性需要特殊的集成方案。CDSOT23-T36CCDSOT23-T36C

使用这些方法将可以实现截止电压高于1200V和1700V的两种SiC功率MOSFET，电流强度为45A，输出电阻小于100mΩ。

这些器件将采用HiP247新型封装，该封装是专为SiC功率器件设计，以提高其散热性能。SiC的导热率是硅[2]的三倍。以意法半导体研制的SiC MOSFET为例，即使在200°C以上时，SiC MOSFET也能保持高能效特性。CDSOT23-T36CCDSOT23-T36C

WInSiC4AP项目的SiC MOSFET开发活动主要在2018年进行。