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类别 集成电路（IC）
PMIC-全，半桥驱动器
制造商 STMicroelectronics
输出配置 半桥（2）
应用 工业级
接口 逻辑
负载类型 电感
技术 功率MOSFET
导通电阻（典型值） 1.38Ohm
电流-输出/通道 3.5A
电流-峰值输出 14A
电压-电源 10V~20V
工作温度 -40°C~125°C（TJ）
故障保护 UVLO
安装类型 表面贴装
封装/外壳 46-VFQFN裸露焊盘
STMicroelectronics的PWD5F60高密度功率驱动器是一种先进的电源系统级封装，集成栅极驱动器和四个N沟道功率MOSFET，采用双半桥配置。集成功率MOSFET的RDS(ON)为1.38Ω，漏源极击穿电压为600V，同时嵌入式栅极驱动器的高压侧能够方便地通过集成自举二极管供电。该器件集成度高，因此能在狭小空间内高效地驱动负载。
PWD5F60接受在10V至20V宽范围内的电源电压(VDC)。这类器件在上、下驱动部分都具有UVLO保护功能，以防电源开关在低效率或危险条件下工作。输入引脚可扩展，允许轻松连接微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器。
PWD5F60嵌入了两个非指定比较器，用于防止过流、过热等。PWD5F60的工作温度为-40°C至+125°C。
可达600V的高压
全桥功率级
IOUT5A和RDS(ON)1.38Ω
快速恢复二极管（trr70ns）
集成阴极负载二极管
嵌入式OCP
嵌入UVLO保护
可编程空载时间
宽输入电源电压范围：0V至21V
先进的QFN封装，15mmx7mm
应用
工业风扇和泵
抽油烟机和燃气加热器
鼓风机
工业驱动和工厂自动化
电源单元
PWD5F60TR
PWD5F60
EVALPWD5F60
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