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SK海力士成功开发出了层数最多的96层4D(四维)NAND闪存半导体。11月4日，SK海力士公司宣布，"公司将主要应用于3D闪存的CTF结构与PUC技术结合起来，在上月领先全球率先研发出96层512Gbit的4DNAND闪存半导体，计划在今年年内进行第一批量产"。96层NAND闪存由世界排名第一的三星电子和排名第二的东芝半导体在今年下半年首次投入批量生产，是目前性能最强的NAND闪存半导体。