深圳市汇创佳电子科技有限公司0755-8254549813538016218QQ:531398920朱先生
数据列表 IRFB11N50A
PackagingInformation
标准包装 50
包装 管件
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-FET，MOSFET-单
系列 -
规格
FET类型 N沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 500V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） 11A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） 10V
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） 520毫欧6.6A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 4V250μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值） 52nC10V
Vgs（最大值） ±30V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 1423pF25V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 170W（Tc）
工作温度 -55°C~150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
