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2018年，恰逢中国改革开放40年。
40年前，64Kb动态随机存储器(DRAM)诞生，宣告超大规模集成电路时代来临，中国科学院半导体研究所开始研制4KbDRAM，在次年投入生产;40年后，今年第四季度，紫光集团旗下长江存储研发的64Gb32层三维闪存芯片(3DNANDFlash)将实现量产，8月份刚刚推出的Xtacking技术更是给闪存芯片结构带来了历史性突破，为全球闪存产业的发展留下了中国企业浓墨重彩的一笔。
古人云：积力之所举，则无不胜也;众智之所为，则无不成也。中国集成电路产业，从国家、政府到企业、科研人员，上下齐心，奋发图强，在走过40年曲折艰难的发展之路后，迎来了最好的发展时机。
