标准包装 2，500
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管-FET，MOSFET-单
系列 NexFET??
规格
FET类型 N沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） 14A（Ta），44A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） 3V，8V
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） 10.3毫欧@10A，8V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 1.8V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值） 5.1nC@4.5V
Vgs（最大值） +10V，-8V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF@15V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 2.7W（Ta）
工作温度 -55°C~150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
封装/外壳 8-PowerTDFN
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