通道类型N最大连续漏极电流13A最大漏源电压500V最大漏源电阻值500mΩ最大栅阈值电压4V最大栅源电压-30V、+30V封装类型TO-220F安装类型通孔晶体管配置单引脚数目3通道模式增强最大功率耗散41W典型输入电容值@Vds1483pF@25V正向跨导13S典型接通延迟时间23.3ns尺寸10.71x4.93x16.13mm宽度4.93mm典型关断延迟时间111.2ns正向二极管电压1.4V每片芯片元件数目1长度10.71mm最低工作温度-55°C典型栅极电荷@Vgs37nC@10V晶体管材料Si最高工作温度+150°C高度16.13mm