制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-TDSON-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 64 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 17 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single Quad Drain Triple Source
Pd-功率耗散: 46 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 5
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.15 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 32 S
下降时间: 3 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 3 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 12 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
零件号别名: BSC066N06NSATMA1 SP001067000
单位重量: 100 mg
