制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-220AB-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.57 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 59 A
Pd-功率耗散: 246 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 59 A
商标: Infineon / IR
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
零件号别名: SP001512244
单位重量: 2.300 g
