制造商: 恩XP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
Id-连续漏极电流: 4 A
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
技术: Si
增益: 13 dB
输出功率: 8 W
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PLD-1.5
资格: AEC-Q100
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.83 mm
长度: 6.73 mm
工作频率: 520 MHz
系列: MRF1518NT1
类型: RF Power MOSFET
宽度: 5.97 mm
商标: 恩XP / Freescale
通道模式: Enhancement
湿度敏感性: Yes
Pd-功率耗散: 62.5 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V
单位重量: 280 mg
