型号：SI2308BDS-T1-GE3
品牌：Vishay / Siliconix
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N 通道
汲极/源极击穿电压：60 V
功率耗散：1.09 W
上升时间：16 ns
闸/源击穿电压：+/- 20 V
最大工作温度：+ 150 C
安装风格：SMD/SMT/贴片
供应商标准封装：SOT-23-3
封装类型：Reel/卷盘
下降时间：16 ns
最小工作温度：- 55 C
工厂包装数量：3000
漏极连续电流：1.9 A
导通电阻：156 mOhms
价格： 面议
数量：18960
备注：深圳市勤思达科技有限公司长期供应晶体管MOSFET SI2308BDS-T1-GE3
正品原装，厂家直销品质保证，欢迎广大客户朋友咨询谈。
