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英特尔和美光除了推出64层QLC提高技术优势，曾表示第三代3D NAND技术(96层)的开发将于2018年年底或2019年初交付，预计英特尔和美光96层3D NAND可在2019下半年实现量产。
至于SK海力士目前NAND Flash技术没有明确的消息，但在三星、东芝、美光、英特尔积极投入96层3D NAND技术竞争中，相信SK海力士在2018年也会积极进行96层3D NAND的研发工作，若顺利也有望在2019年投入量产。
随着各家原厂3D NAND技术的发展，尤其是未来96层3D NAND的面世，预计NAND Flash市场供应量将大幅增加，同时NAND Flash每GB的成本也会降低。不过，高端智能型手机容量需求正在向128GB以上升级，而且数据中心、服务器领域SSD，以及消费类SSD市场需求也正在不断增加，未来NAND Flash市场将呈现健康发展的趋势，市场可期。
