技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 45 V
Id-连续漏极电流: - 230 mA
Rds On-漏源导通电阻: 14 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 700 mW
通道模式: Enhancement
封装: Bulk
高度: 4.01 mm
长度: 4.77 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: BS250
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: FET
宽度: 2.41 mm
商标: Diodes Incorporated
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 4000
子类别: MOSFETs
单位重量: 453.600 mg
