在半导体的碳化硅(SiC)上，肖特基二极管采用了一种全新的技术，为硅提供了优越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度独立开关特性，优异的热工性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统效益包括效率最高、运行频率快、功率密度增加、电磁干扰降低、系统尺寸和成本降低。在半导体提供650 V和1200 V的设备在一系列的当前和包的选项，以推动信封的效率和功率密度的下一代电力系统设计。
功能应用程序
没有反向的QRR恢复，没有正向恢复。
低VF(低传导损耗)
泄漏稳定性超过温度范围。
开关特性与温度无关。
更高的浪涌和雪崩容量。
正温度系数
更高的操作温度(TJMAX = 175ºC)
太阳能光伏逆变器(PV)
功率因数校正技术(PFC)
电动/混合动力汽车充电器
不间断电源(UPS)
电信和服务器电源供应。
