一般信息
数据列表 AO4496 Datasheet;
SO8 Pkg Drawing;
标准包装 3,000
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 13nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 715pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 19.5 毫欧 @ 10A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SOIC
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
深圳市顺德利科技有限公司 0755-82725660 17748677872（微信75056055） QQ：782954141
