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标准包装 3,000
晶体管类型 LDMOS
频率 500MHz
增益 15dB
电压 - Test 7.5V
当前 Rating 5A
噪声系数 -
当前 - Test 200mA
Power - 输出功率 8W
电压 - 额定 25V
包/盒 8-PowerVDFN
供应商器件封装 PowerFLAT™ (5x5)
包装材料 Tape & Reel (TR)
动态目录 RF HEMT, HFET, LDMOS FETs###/catalog/en/partgroup/rf-hemt-hfet-ldmos-fets/17310?mpart=PD54008L-E&vendor=497&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0
包装 8Power Flat
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 25 V
最大连续漏极电流 5 A
最大门源电压 -5|15 V
工作温度 -65 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
包装宽度 5
PCB 14
最大功率耗散 26700
最大漏源电压 25
最大频率 1000
欧盟RoHS指令 Compliant
Typical Drain Efficiency 50(Min)
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -65
典型功率增益 15(Min)
供应商封装形式 Power Flat
最高工作温度 150
输出功率 8(Min)
渠道类型 N
典型输入电容@ VDS 80@7.5V
包装长度 5
引脚数 14
包装高度 0.88
最大连续漏极电流 5
封装 Tape and Reel
铅形状 No Lead
单位包 3000
最小起订量 3000
晶体管类型 LDMOS
电压 - 额定 25V
供应商设备封装 PowerFLAT™ (5x5)
电压 - 测试 7.5V
频率 500MHz
增益 15dB
封装/外壳 8-PowerVDFN
电流 - 测试 200mA
额定电流 5A
功率 - 输出 8W
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 497-6471-1
工厂包装数量 3000
产品种类 Transistors RF MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 15 V
连续漏极电流 5 A
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 26.7 W
输出功率 8 W
最低工作温度 - 65 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 25 V
RoHS RoHS Compliant
漏极电流（最大值） 5 A
频率（最大） 1000 MHz
栅源电压（最大值） 15 V
输出功率（最大） 8W(Min)
工作温度范围 -65C to 150C
包装类型 Power Flat
极性 N
类型 RF MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 50 %
漏源导通电压 25 V
功率增益 15 dB
弧度硬化 No
筛选等级 Military
输入电容（典型值） @ VDS 80@7.5V pF
输出电容（典型值） @ VDS 60@7.5V pF
功率增益（典型值） @ VDS 15(Min) dB
漏极效率（典型值） 50(Min) %
反向电容（典型值） 6.6@7.5V pF
漏源电压（最大值） 25 V
功率耗散（最大） 26700 mW
删除 Compliant
usewith STEVAL-TDR003V1
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