一般信息
数据列表 CSD86330Q3D;
标准包装 1
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列 NexFET™
规格
FET 类型 2 个 N 通道（半桥）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 9.6 毫欧 @ 14A，8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 6.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 920pF @ 12.5V
功率 - 最大值 6W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerLDFN
供应商器件封装 8-LSON（5x6）
深圳市天芯科技有限公司 0755-82725660 17727837185（微信75056055） QQ：177691499
